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碳化硅生产原理
碳化硅生产原理
2022-09-05T01:09:58+00:00
碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解； 知乎
1 天前 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。而碳化硅(SiC)晶 2022年12月1日 ICP经营许可证 苏B2 苏ICP备号 苏公网安备 874号 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社
先进半导体研究院碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发
2021年8月5日 科学科普 宽禁带 衬底 半导体 芯片 抛光 晶圆 耗材 半导体材料 氮化镓 碳化硅 浙江大学先进半导体研究院宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓）以碳化硅和氮化镓 2021年12月24日 20 被浏览 22,029 关注问题 写回答 邀请回答 好问题 2 1 条评论 分享 9 个回答 默认排序 与非网 关注 1 人赞同了该回答 每个工程师都想要一个完美的 开关 ，以便能在开和关两种状态之间瞬间切换，且在两 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更 2022年4月28日 碳化硅，一种不怎么新的材料 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。 首页 / 工程师家园 / 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 碳 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 亿伟世科技
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。2023年10月27日 碳化硅器件降本主要通过三大途径：1）降低衬底成本，主要通过8寸向12寸升级、持续优化热场设计来实现；2）在设计、器件制造、封装各个环节改进技术，具体涉及缩小元胞尺寸、改进栅氧淡化工艺等方向；3）设计更小尺寸芯片，使得单位晶圆产出更 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
SiC外延工艺基本介绍 知乎
2023年2月11日 碳化硅外延层的制备方法主要有：蒸发生长法；液相外延生长（LPE）；分子束外延生长（MBE）;化学气相沉积（CVD）。 这里对这几种制备方法做了一个基本的总结，见表1。 化学气相沉积（CVD）法 2023年3月13日 晶体制备 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难： 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 碳化硅 ~ 制备难点 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 和热膨胀系数以及优良的热导率，是 GaN基 的理想衬底材料，如 2021年8月5日 浙江大学先进半导体研究院宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓） 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作 先进半导体研究院碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发
耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号
2020年7月4日 碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材2023年10月30日 一、化学气相沉积（CVD） 1原理：化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。 2过程：化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面 碳化硅（SIC）晶体生长方法之——化学气相沉积法的详解；
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 改进的自蔓延合成法本质上是一种高温燃烧的合成工艺，硅源和碳源在高温下充分燃烧，得到的产物便是 SiC 粉体。在这个工艺过程中，SiC 粉体的纯度、粒径、晶型受多种因素的影响，人们对此做了大量的研究。2． 1 温度对合成高纯碳化硅粉体的影响2023年5月18日 碳化硅改质切割原理 改质切割是一种将半导体晶圆分离成单个芯片或晶粒的激光技术。该过程是使用精密激光束在晶圆内部形成改质层，使晶圆可以通过轻微外力沿激光扫描路径精确分离。碳化硅改质切割一般为激光扫描及以三点折弯为主要原理 三代半丨SiC晶圆激光切割整套解决方案应用碳化硅工艺机械
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高 2021年7月3日 02 技术难度高，海外巨头统治市场 碳化硅与硅基器件的原理相似，但碳化硅无论是材料还是器件的制造难度，都显著高于传统硅基。其中大部分的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化 知乎
2022年11月4日 本文对电阻加热式 8 英寸 (1 英寸 = 2 54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。 首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度 2023年10月30日 碳化硅晶片的抛光工艺 可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。精抛为单面抛光，化学机械抛光是应用最为广泛的 碳化硅（SIC）的长处和难点详解； 知乎
烧结银原理、烧结银膏工艺流程和银烧结应用 知乎
2023年7月20日 烧结银原理、烧结银膏工艺流程和银烧结应用 烧结银主要应用在功率器件或者电力电子，特别是在新能源汽车和工业这块应用。 一 烧结银的原理烧结银烧结有两个关键因素：，表面自由能驱动。第二，固体表面扩散。2023年9月14日 坚硬的碳化硅是如何从柔软的熔融液中长出的？ 碳化硅研习社 液相法（Liquid Phase Epitaxy，简称LPE） ，一种常用的半导体材料生长技术。 目前最新的研究进展是生长了高质量、低成本6英寸SiC，SiC长晶速度提高了5倍左右，消除了表面缺陷和基平面位错，无缺陷 坚硬的碳化硅是如何从柔软的熔融液中长出的？ 知乎
半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅生产工艺 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度 (约炉芯到炉底的二分之一)，在其上面铺一层非晶形料，然后继续加配料至炉芯水平。 炉芯放在配料制成的底盘上，中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷。 炉芯上部铺 2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
碳化硅陶瓷的4种烧结工艺 你不可不知 知乎
2019年5月11日 反应烧结 反应烧结碳化硅，又称自结合碳化硅，是指多孔钢坯与气相或液相反应，提高钢坯质量，减少气孔，并以一定的强度和尺寸精度烧结成品的过程。 将αSiC粉末与石墨按一定比例混合，加热到1650℃左右，形成方坯。 同时，它通过气相Si渗透或渗透 2023年2月6日 碳化硅晶体生长物理气相传输(PVT) 工艺：晶体生长是固体气体固体的物理过程；生长温度一般在 2,200℃以上。坩埚 底部的碳化硅原料在高温下升华，气体通过扩散和热对流运输到在坩埚顶部的低温 籽晶处，重新凝聚为碳化硅晶体。晶盛机电研究报告：长晶龙头蜕变正当时，碳化硅渐入收获期
陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎
2023年3月28日 陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 碳化硅（SiC）具有优异的高温力学性能、热学性能以及化学稳定性，是一种优异的先进陶瓷材料。 这里我们只讨论作为结构材料的碳化硅，不讨论作为半导体基材的SiC。 SiC 主要有两种晶型，即高温稳定型的六方晶 2022年9月6日 基本原理是碳化硅粉料在高温和低压下升华产生的主要气相物质（Si，Si2C，SiC2），随着温度梯度的下降沉积在温度稍低的籽晶上，并在其上结晶。 籽晶升华生长是目前业界广泛应用的标准工艺，关键点是石墨坩埚的温度分布设计及气体浓度控制 第三代半导体碳化硅（1） 知乎
SiC外延工艺简介 深圳市重投天科半导体有限公司
2022年11月22日 SiC外延工艺简介 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。 其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，其中应用最多的是4H 2023年8月19日 为什么碳化硅SiC要先制作衬底，再在衬底上外延SiC 制成外延片，而不是像纯硅晶圆一样直 首页 知乎知学堂 发现 等你来答 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 电子工程专辑 EE
2022年10月9日 碳化硅单晶的精抛工艺主要研究方向是开发结合化学和机械两方面增效的复合工艺，化学增效方法主要有电化学、磁流变、等离子体、光催化等，机械增效方法主要有超声辅助、混合磨粒和固结磨粒抛光等方法，相关加工原理如图 4 所示。2023年4月25日 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 模拟
电子元器件基础知识——何为碳化硅SiC？ 知乎
2019年10月24日 在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率元器件”，另一是与Si半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化 2021年11月29日 02 常用碳化硅功率器件 目前碳化硅功率器件主要定位于功率在1kW～500kW之间、工作频率在10kHz～100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如 电动汽车车载充电机 碳化硅功率器件之四 知乎
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 2021年7月5日 碳化硅与硅基器件的原理相似，但碳化硅 无论是材料还是器件的制造难度，都显著高于传统硅基。其中大部分的难度都是碳化硅材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的。碳化硅器件的生产环节主要包括衬底制备、外延和器件制造封测三大步骤 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
硅碳棒百度百科
在高温下碳化硅会缓慢氧化，生成 二氧化硅 和 二氧化碳，棒的电阻逐渐增加，即老化。 一般情况下二氧化硅会在棒表面形成一层保护膜防止氧气的进一步进入，继续氧化，而在供料道上玻璃挥发物会破坏保护膜，棒会继续氧化，因此棒必须和料液面保持一定的安全距离。2021年7月4日 01碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体材料 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道芯片碳化硅
揭秘：详解第三代半导体之碳化硅基础 知乎
2023年3月31日 1碳化硅结构 碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大 (单位是电子伏特 (ev))、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高，热导率以及抗辐射等关键 参数方面有显著优势。 可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。 因此 2023年4月6日 来源：EETOP 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和 揭秘碳化硅芯片的设计和制造 知乎
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。2023年10月27日 碳化硅器件降本主要通过三大途径：1）降低衬底成本，主要通过8寸向12寸升级、持续优化热场设计来实现；2）在设计、器件制造、封装各个环节改进技术，具体涉及缩小元胞尺寸、改进栅氧淡化工艺等方向；3）设计更小尺寸芯片，使得单位晶圆产出更 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
SiC外延工艺基本介绍 知乎
2023年2月11日 碳化硅外延层的制备方法主要有：蒸发生长法；液相外延生长（LPE）；分子束外延生长（MBE）;化学气相沉积（CVD）。 这里对这几种制备方法做了一个基本的总结，见表1。 化学气相沉积（CVD）法 2023年3月13日 晶体制备 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难： 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 碳化硅 ~ 制备难点 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 和热膨胀系数以及优良的热导率，是 GaN基 的理想衬底材料，如 2021年8月5日 浙江大学先进半导体研究院宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓） 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作 先进半导体研究院碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发
耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号
2020年7月4日 碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材2023年10月30日 一、化学气相沉积（CVD） 1原理：化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。 2过程：化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面 碳化硅（SIC）晶体生长方法之——化学气相沉积法的详解；