当前位置：首页 > 产品中心
碳化硅3级微粉
碳化硅3级微粉
2021-05-22T14:05:16+00:00
淮安利泰碳化硅微粉有限公司【官网】
2019年2月16日 淮安利泰碳化硅微粉有限公司【官网】 1 2 公司是中国绿碳化硅微粉行业的企业、国家高新技术企业，拥有国家专利22项，其中发明专利3项。 公司年生产碳化硅产品两万余吨，湿法球磨工艺和大罐纯水 2021年7月6日 2、碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主。主要用于磨料行业生产。因此对碳化硅微粉的分级，绿碳化硅微粉和黑碳化硅微粉的质量也有一定的要求。尤其是碳化硅微粉中不能有大颗粒出现，因为碳化硅大 碳化硅微粉是什么 知乎
绿碳化硅微粉 百度百科
词条图册 更多图册 概述图册(1张) 绿碳化硅微粉 的概述图 （1张） 词条统计2020年1月9日 在线客服 PRODUCT PRESENTATION 产品展示 立方SiC微粉 立方SiC轴 立方SiC导热吸波粉 高端立方SiC芯片基材 立方SiC流体磨料 立方SiC研磨液、抛光液 立方SiC晶须 β/α SiC研磨介质球 查看详细 >> 西 西安博尔新材料有限责任公司立方碳化硅微粉立方碳
碳化硅粉的用途及特点 知乎
2021年7月19日 碳化硅粉是一种微米级碳化硅粉体，主要用于磨料行业，而且其等级分类很严格，不允许有大颗粒出现，目前国内碳化硅微粉主要有黑碳化硅微粉和绿碳化硅微粉。 碳化硅粉的作用：用于312寸的单晶硅， 2020年7月23日 超细、超纯碳化硅，磨具磨料用微粉，耐火材料用微粉，晶硅片切割用微粉。 产品优势： 纯度高：原块含量高、酸碱去杂质、提纯工艺好，成品纯度高。碳化硅微粉山田新材料集团有限公司
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料等环节。 1、Si C粉体：按一定配比将高纯硅粉和高纯碳粉混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎 2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
展商快讯 西安博尔：生产高品质碳化硅(SiC)微粉的国
2021年4月1日 西安博尔新材料有限责任公司（展位号：B155）是一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉及其下游制品研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明工业化生产的立方碳化硅(βSiC)等产品，质量达到世 2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪
2022年1月13日 碳化硅衬底制备通常需要先将高纯硅粉与碳粉化合以制成高纯碳化硅微粉 原料，然后在单晶炉中生长，成为晶锭，随后经过一系列切片、研磨、抛光 2023年5月19日 4碳化硅外延片价格 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。从价格来看，相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅外延短期内依然较为高昂。伴随衬底价格降低，未来外延价格有下降趋势。2023年中国碳化硅产业链上中下游市场分析（附产业链全景图
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 知乎
2023年4月17日 PVT 法利用“升华转移再生长”原理生长碳化硅晶体。高纯度碳粉与硅粉按特定比例 混合，将形成的高纯度碳化硅微粉与籽晶分别放置生长炉内坩埚的底部和顶部，温度升高至 2000°C 以上，控制坩埚下部温度略高于顶部，形成温度差，碳化硅微粉升华成气态 Si，SiC2 和 Si2C 后，在籽晶处重新结晶生长 潍坊凯华碳化硅微粉有限公司成立于2002年，国家高新技术企业，公司占地40亩，标准厂房19000平方，办公楼、研发中心2000平方，年生产能力3万吨。 一直从事陶瓷级微粉的生产销售，所生产的微粉具有纯度高、粒形好、稳定性强等特点，主要用于反应烧结、无压 碳化硅微粉,碳化硅超细微粉潍坊凯华碳化硅微粉有限公司
西安博尔新材料有限责任公司立方碳化硅微粉立方碳化硅
2020年1月9日 西安博尔新材料有限责任公司 是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（βSiC）微粉和晶须的专业企业。 总投资186亿元，生产的立方碳化硅（βSiC）等 2019年9月2日 随着碳化硅材料制造工艺的进一步发展，以及制造成本的不断下降，碳化硅材料将在高温、高频、光电子、抗辐射等领域拥有广阔的应用发展前景，如表2。 表2 碳化硅 (SIC)材料的应用领域 泰科天润官网 ： 碳化硅,半导体,功率器件,电动车,光伏,电力电子 泰科 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 2． 3 C 源对合成高纯碳化硅 粉体的影响 在改进的自蔓延合成法中，C 源的纯度和粒径会直接影响 SiC 的纯度和粒径。Wang 等研究了不同的 C 源对合成 SiC 粉体的影响。实验中采用了两种不同的碳源，分别是粒径在 20 ～ 100 μm 的活性炭和粒径在 2 2023年3月19日 潍坊日报社潍坊融媒讯材料产业是工业文明的肌体，新材料的出现往往引领某个行业门类的变革。 28年前，山东华美新材料科技股份有限公司的前身还是一家“煤产业”的转型企业；28年后，华美新材已成为 从“跟跑”到“领跑”，探寻华美新材的“小巨人”密码碳化
不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响
2020年7月3日 摘要： 探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响，采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算，得出理论反应起始温度;探究了分别以石油焦、活性炭、石墨粉和蔗糖为还原剂对冶炼效果的影响。 研究表明：以硅微粉为硅源通过碳热还原反应制备碳化硅的 2021年9月8日 碳化硅的用处 碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和杰出的导电性、导热性等特别功用，因而在国民经济各部门中具有广泛的用处。 在我国，绿碳化硅首要用做磨料。 黑碳化硅用 什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 知乎
5种碳化硅微粉去除铁杂质的工艺方法水进行
2020年2月12日 在碳化硅微粉的生产过程中，除了要去除碳杂质外，铁也是其中必须去除的杂质之一，以下是去除铁杂质的5 种方法： 一、化学除铁工艺——酸浸法 碳化硅微粉中的铁杂质主要以单质铁及其氧化物化铁的形式存在。因为单质铁及其三氧化铁均溶于 2021年12月3日 2021年11月23日晚，露笑科技披露定增计划，欲募资2940亿元加码碳化硅业务。 在经历光伏电站、锂电池、蓝宝石等诸多尝试后，露笑科技此次能否转型成功？ 根据智慧芽全球专利数据库：“露笑科技拥有专利申请32件，其中未发现与碳化硅相关技术专利。 露笑科技“豪赌”碳化硅，工厂已建成，谁持“核心专利”依然
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
2023年3月13日 晶体制备 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难： 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 2021年11月10日 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料等环节。 1、Si C粉体：按一定配比将高纯硅粉和高纯碳粉混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工程序，就可以得到满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
绿碳化硅价格指数中粉资讯粉材价格指数平台 cnpowder
2024年1月11日 绿碳化硅价格指数中粉资讯粉材价格指数平台 原料大稳小动，碳化硅价格重心持稳 中国粉体网讯市场概述：本周碳化硅市场交投氛围未有好转，供需格局延续宽松，价格持稳，市场采购节奏放缓，市场观望情绪较高，需求端支撑仍无改善。 目前看碳化硅 2023年4月7日 全球不同应用晶圆用高纯碳化硅粉末收入份额预测（20242029） 【出版机构】: LPI (LP Information) 【交付时间】: 23个工作日 【出版时间】: 2023年4月 【语言】: 中文或英文 【页码】: 109 【图表数】: 147 摘要 2022年全球晶圆用高纯碳化硅粉末市场规模大约为 百万美元 路亿市场策略 (LP information)全球晶圆用高纯碳化硅粉末
我国立方碳化硅微粉的研发和生产情况？ 知乎
2022年5月27日 总投资186亿元，生产的立方碳化硅 (βSiC)等产品质量达到世界领先水平，其中主营产品立方碳化硅经陕西省工信厅及国家工信部批准被纳入重点新材料，公司的 SiC微粉 在精细分级和表面改性处理等方面也都处于国内领先水平。 就国际行业调查来 2023年3月28日 陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 碳化硅（SiC）具有优异的高温力学性能、热学性能以及化学稳定性，是一种优异的先进陶瓷材料。 这里我们只讨论作为结构材料的碳化硅，不讨论作为半导体基材的SiC。 SiC 主要有两种晶型，即高温稳定型的六方晶 陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎
工业金刚石 金刚石微粉 知乎
2022年10月17日 光伏行业发展带动金刚石微粉需求大幅增长 金刚石线锯切割技术广泛应用于光伏行业，带动对金刚石微粉需求大幅增长。 金刚石线锯切割技术相较于碳化硅砂浆切割技术具有切割速度快、效率高、成本低 2020年9月9日 1碳化硅加工工艺流程图doc 碳化硅加工工艺流程一、碳化硅的发展史：1893发表了个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化硅，到1925 1碳化硅加工工艺流程图 豆丁网
2022年中国碳化硅行业竞争格局、重点企业经营情况及未来
2022年9月6日 根据海关资料显示，中国碳化硅从2017年至2020年出口量呈现下降态势，2021年中国碳化硅出口量恢复为3748万吨，同比增长55%，2022上半年中国碳化硅出口量为1991万吨。 可以看出中国碳化硅并不依赖于进口，出口量远远大于进口量。 20152022年H1中国碳化硅出口量 2021年11月11日 衬底，是碳化硅在半导体中存在的主要形式。衬底制备，首先将碳化硅粉料在单晶炉中高温升华之后形成碳化硅晶锭，然后对晶锭进行粗加工、切割、研磨、抛光得到碳化硅晶片，也就是衬底。衬底制备是碳化硅功率器件成本较大的部分，约占40%以上。彻底弄懂碳化硅产业及重点企业 知乎
碳化硅粉 知乎
2022年10月31日 碳化硅粉 (siliconcarbide，sic)由于具有高强度、高硬度、耐腐蚀、抗高温氧化性、低热膨胀系数等优越特性，常用于制成碳化硅陶瓷广泛应用于冶金、机械、石油、化工、微电子、航空航天、钢铁、汽车等领域。 但由于碳化硅的强共价键性 (共价键成分 2022年4月19日 表引 表 1 2020年中国碳化硅物理及化学属性 表 2 2020年中国碳化硅原料路线类型 表 3 2020年中国碳化硅主要原料定义 表 4 2020年中国碳化硅原料路线应用产能比例（万吨） 表 5 2020年中国碳化硅生产工艺类型 表 6 2020年中国碳化硅生产工艺优劣 表 7 2020年中国 中国碳化硅生产工艺研究报告2021亚洲金属网 Asian Metal
绿碳化硅微粉 百度百科
绿碳化硅微粉是指利用JZFZ设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主，由于碳化硅微粉主要用于磨料行业，所以对微粉的分级有特殊要求，微粉中不能有大颗粒出现，所以为达国际和国内产品要求，一般生产都采用JZF分级设备来进行高精分级。2022年2月23日 除了中国外，欧洲等国家的黑碳化硅是使用硅砂生产，化学成分已经接近绿碳化硅。因为硅砂是微粉，与使用硅石的场合相比，反应时产生的气体更加难以排除。372 电力单耗 YDK电力单耗为6 000～10 000 kW/ht1。黑碳化硅电力单耗小，绿碳化硅单耗大。碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用微粉sic碳化硼
碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道
2023年3月7日 碳化硅半导体器件生产工序主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、 模块封装和终端应用等环节。 高纯 SiC 粉体生产主要是在高温下（2000℃以上）反应合成能满足晶体 生长要求的高纯 SiC 微粉原料。2022年4月11日 碳化硅是什么？立方碳化硅的性质。 立方碳化硅又名βSiC，属立方晶系（金刚石晶型），其晶体的等轴结构特点决定了βSiC具有比αSiC（黑碳化硅和绿碳化硅）好的自然球度和自锐性，因而在精密研磨方面有更好的磨削和抛光效果，在材料、密封制品和军工制品生产时有更优异的密封特性，使其 绿碳化硅？ 知乎
关于碳化硅，不可不知的10件事！ 知乎
2022年10月15日 碳化硅 如何实现比硅更好的热管理？另一个重要参数是热导率，它是半导体如何散发其产生的热量的指标。如果半导体不能有效散热，则器件可以承受的较大工作电压和温度会受到限制。这是碳化硅优于 2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
光伏硅片切割辅料——碳化硅微粉市场现状调查 产业资讯
2011年12月23日 碳化硅微粉的价格又会如何变化？未来的碳化硅微粉市场将朝向哪个方向发展？ 行业人士曾这样说过：“碳化硅微粉是光伏企业手中的刀具，谁拥有了最好的刀具，谁就占有了最好的切割先机”。从这句话中不难看出碳化硅微粉在切片行业中的地位是举足轻重 2019年9月2日 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于22eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。 在半导体业内从材料端分为：代元素半导体 大家都在关注的SiC是什么？碳化硅
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 2021年11月23日 2、碳化硅 (SiC)在不定形耐火材料中的应用 在不定形耐火材料中，SiC既可以作为主成分制成SiC质浇注料，也可以作为添加成分来改善其它浇注料的性能，尤其是抗渣性和热震稳定性。 本课题主要研究SiC为添加成分时对浇注料性能的影响，故仅就此方面 碳化硅(SiC)在耐火材料中的应用 知乎
国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华
2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。2021年12月16日 碳化硅 主要有四大应用领域，即:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。 碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。 ⑴作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂 什么是碳化硅？及用途 知乎
华为布局第三代半导体，得碳化硅者得天下！ 知乎
2019年8月28日 相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的45倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。 一、二、三代半导体材料新能参数对比 种种特性意味着碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。 目前 2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
展商快讯 西安博尔：生产高品质碳化硅(SiC)微粉的国
2021年4月1日 西安博尔新材料有限责任公司（展位号：B155）是一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉及其下游制品研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明工业化生产的立方碳化硅(βSiC)等产品，质量达到世 2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪
2022年1月13日 碳化硅衬底制备通常需要先将高纯硅粉与碳粉化合以制成高纯碳化硅微粉 原料，然后在单晶炉中生长，成为晶锭，随后经过一系列切片、研磨、抛光 2023年5月19日 4碳化硅外延片价格 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。从价格来看，相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅外延短期内依然较为高昂。伴随衬底价格降低，未来外延价格有下降趋势。2023年中国碳化硅产业链上中下游市场分析（附产业链全景图
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 知乎
2023年4月17日 PVT 法利用“升华转移再生长”原理生长碳化硅晶体。高纯度碳粉与硅粉按特定比例 混合，将形成的高纯度碳化硅微粉与籽晶分别放置生长炉内坩埚的底部和顶部，温度升高至 2000°C 以上，控制坩埚下部温度略高于顶部，形成温度差，碳化硅微粉升华成气态 Si，SiC2 和 Si2C 后，在籽晶处重新结晶生长 潍坊凯华碳化硅微粉有限公司成立于2002年，国家高新技术企业，公司占地40亩，标准厂房19000平方，办公楼、研发中心2000平方，年生产能力3万吨。 一直从事陶瓷级微粉的生产销售，所生产的微粉具有纯度高、粒形好、稳定性强等特点，主要用于反应烧结、无压 碳化硅微粉,碳化硅超细微粉潍坊凯华碳化硅微粉有限公司
西安博尔新材料有限责任公司立方碳化硅微粉立方碳化硅
2020年1月9日 西安博尔新材料有限责任公司 是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（βSiC）微粉和晶须的专业企业。 总投资186亿元，生产的立方碳化硅（βSiC）等 2019年9月2日 随着碳化硅材料制造工艺的进一步发展，以及制造成本的不断下降，碳化硅材料将在高温、高频、光电子、抗辐射等领域拥有广阔的应用发展前景，如表2。 表2 碳化硅 (SIC)材料的应用领域 泰科天润官网 ： 碳化硅,半导体,功率器件,电动车,光伏,电力电子 泰科 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 2． 3 C 源对合成高纯碳化硅 粉体的影响 在改进的自蔓延合成法中，C 源的纯度和粒径会直接影响 SiC 的纯度和粒径。Wang 等研究了不同的 C 源对合成 SiC 粉体的影响。实验中采用了两种不同的碳源，分别是粒径在 20 ～ 100 μm 的活性炭和粒径在 2